Транзистор MOSFET IRF640NS, N-канальный, 200 В, 18 А, TO-263

Описание

IRF640NS - силовой N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263 (D2PAK) для поверхностного монтажа. Предназначен для коммутации нагрузок в источниках питания, преобразователях, схемах управления двигателями и другой силовой электронике.

Транзистор поддерживает напряжение сток-исток до 200 В и ток стока до 18 А. Сопротивление открытого канала составляет не более 0,15 Ом при VGS = 10 В.

Характеристики:

• тип: N-канальный MOSFET;
• маркировка: IRF640NS;
• максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В;
• максимальный ток стока (ID): 18 А;
• максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт;
• сопротивление открытого канала RDS(on): до 0,15 Ом;
• пороговое напряжение затвора VGS(th): 2–4 В;
• максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В;
• максимальная температура перехода: 175 °C;
• корпус: D2PAK (TO-263);
• монтаж: SMD.