MOSFET транзистор IRF1010E, N-канальный, 60 В, 84 А, TO-220

Описание

IRF1010E - мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220. Предназначен для коммутации значительных токов в блоках питания, преобразователях, инверторах, схемах управления двигателями и другой силовой электронике.

Низкое сопротивление открытого канала до 12 мОм позволяет уменьшить потери мощности при работе. Транзистор выполнен в стандартном выводном корпусе TO-220, удобном для монтажа на печатную плату и установки радиатора.

Характеристики:

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N-канальный

Модель: IRF1010E / IRF1010EPBF

Максимальное напряжение сток-исток VDS: 60 В

Максимальный ток стока ID: 84 А при Tc = 25 °C

Максимальная рассеиваемая мощность: 170 Вт

Сопротивление открытого канала RDS(on): до 12 мОм при VGS = 10 В

Пороговое напряжение затвора VGS(th): 2–4 В

Максимальное напряжение затвор-исток VGS: ±20 В

Максимальная температура перехода: 175 °C

Рабочий температурный диапазон: -55…+175 °C

Корпус: TO-220

Монтаж: выводной, THT