Транзистор MOSFET IRF640NS, N-канальний, 200 В, 18 А, TO-263

Опис

IRF640NS - силовий N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі TO-263 (D2PAK) для поверхневого монтажу. Розрахований на комутацію навантажень у джерелах живлення, перетворювачах, схемах керування двигунами та іншій силовій електроніці.

Транзистор підтримує напругу стік-витік до 200 В та струм стоку до 18 А. Опір відкритого каналу становить не більше 0,15 Ом при VGS = 10 В.

Характеристики:

• тип: N-канальний MOSFET;
• маркування: IRF640NS;
• максимальна напруга стік-витік (VDS): 200 В;
• максимальний струм стоку (ID): 18 А;
• максимальна потужність розсіювання: 150 Вт;
• опір відкритого каналу RDS(on): до 0,15 Ом;
• порогова напруга затвору VGS(th): 2–4 В;
• максимальна напруга затвор-витік: ±20 В;
• максимальна температура переходу: 175 °C;
• корпус: D2PAK (TO-263);
• монтаж: SMD.