MOSFET транзистор IRF5210PBF, P-канальний, 100 В, 40 А, TO-220

Опис

IRF5210PBF - потужний P-канальний MOSFET транзистор у корпусі TO-220. Призначений для комутації навантажень і застосування в блоках живлення, перетворювачах, інверторах, схемах керування двигунами та іншій силовій електроніці.

Транзистор розрахований на напругу стік-витік до 100 В і постійний струм стоку до 40 А. Максимальний опір відкритого каналу становить 0,06 Ом при напрузі затвор-витік -10 В.

Характеристики:

Модель: IRF5210PBF

Тип: MOSFET

Полярність: P-канальний

Максимальна напруга стік-витік VDS: -100 В

Максимальний постійний струм стоку ID: -40 А при 25 °C

Опір відкритого каналу RDS(on): до 0,06 Ом при VGS = -10 В

Порогова напруга затвора VGS(th): від -2 до -4 В

Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В

Максимальна потужність розсіювання: 200 Вт

Максимальна температура переходу: 175 °C

Корпус: TO-220

Монтаж: вивідний, THT