MOSFET транзистор IRF1010E, N-канальний, 60 В, 84 А, TO-220

Опис

IRF1010E - потужний N-канальний MOSFET транзистор у корпусі TO-220. Призначений для комутації значних струмів у блоках живлення, перетворювачах, інверторах, схемах керування двигунами та іншій силовій електроніці.

Низький опір відкритого каналу до 12 мОм допомагає зменшити втрати потужності під час роботи. Транзистор має стандартний вивідний корпус TO-220, зручний для монтажу на друковану плату та встановлення радіатора.

Характеристики:

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N-канальний

Модель: IRF1010E / IRF1010EPBF

Максимальна напруга стік-витік VDS: 60 В

Максимальний струм стоку ID: 84 А при Tc = 25 °C

Максимальна потужність розсіювання: 170 Вт

Опір відкритого каналу RDS(on): до 12 мОм при VGS = 10 В

Порогова напруга затвора VGS(th): 2–4 В

Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В

Максимальна температура переходу: 175 °C

Робочий температурний діапазон: -55…+175 °C

Корпус: TO-220

Монтаж: вивідний, THT